特許
J-GLOBAL ID：200903063626385890
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-280836
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098536
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】低濃度p型堆積膜内にチャネル領域とイオン注入によってn型に打ち返した電子通電路を備えたSiC縦型MOSFETでは、注入マスクの位置合わせ精度不良によってチャネル領域の幅が狭くなる部分が生じて耐圧が低下し、低オン抵抗化と高耐電圧化の両立が困難である。【解決手段】電子通電路となる打ち返し層(40)に対して左右等距離の位置に第2の打ち返し層(41,42)を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面に形成された第1伝導型の低濃度炭化ケイ素の第1の堆積膜(2)と、
その上に形成された第2伝導型の低濃度炭化ケイ素の第2の堆積膜(32)と、
第1伝導型の低濃度炭化ケイ素が残された部分欠如部(24)を有するように前記第1の堆積膜内に選択的に形成された第2伝導型の高濃度ゲート領域(31)と、
前記第2の堆積膜内に形成される前記部分欠如部が投影される領域に該第2の堆積膜を貫通する第1伝導型の第1の低濃度打ち返し領域(40)と該第1の低濃度打ち返し領域に隣接した第2伝導型の低濃度ゲート領域(11,12)と該第2の堆積膜を貫通する第1伝導型の第2の低濃度打ち返し領域(41,42)と該第2の低濃度打ち返し領域に少なくともその一部が形成された第1伝導型の高濃度ソース領域(51,52)と、
前記第2の堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
該ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記低濃度ゲート領域上に形成されたゲート電極(7)と、
前記第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極(10)と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域および第2伝導型の第2の堆積膜の一部に低抵抗接続されているソース電極(9)と、
から構成されている炭化ケイ素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652B
, H01L29/78 652C
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658A
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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