特許
J-GLOBAL ID：201303099220069820
インナーストライプレーザダイオード構造及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
, 市川 英彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342899
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156404
特許番号：特許第4958334号
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造であって、
窒化物を含み活性領域として機能する多量子ウェル層と、
第1の表面を有し、該第1の表面が前記多量子ウェル層に接触する導波層と、
該導波層内に埋め込まれストライプ溝によって2つの部分に分割されている短周期超格子を備えた電流ブロッキング層と、
前記導波層の上に形成されたクラッディング層であって、前記導波層の一部分が該クラッディング層と前記電流ブロッキング層との間に配置されるように形成されたクラッディング層と、
を具備し、
前記電流ブロッキング層の前記2つの部分の間に位置する前記ストライプ溝に配置された前記導波層の第1の部分の厚さが、前記電流ブロッキング層と前記多量子ウェル層との間に配置された前記導波層の第2の部分の厚さよりも大きい、ことを特徴とするインナーストライプ窒化物レーザダイオード構造。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ( 200 6.01)
, H01S 5/223 ( 200 6.01)
