特許
J-GLOBAL ID：201303099320874313
大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-279308
公開番号（公開出願番号）：特開2013-148892
出願日： 2012年12月21日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】液晶パネルやELパネルの製造に用いられる大型のフォトマスクにおいて、微細なパターンを形成するのに好適な半透明位相シフトマスクの構成、およびその製造方法を提供する。さらに、半透明位相シフトマスクを用いてパターンを露光した場合に生じるサイドピークの発生を抑制する構成を提供する。【解決手段】透明基板上に形成された半透明位相シフト領域の両側に、透過領域が隣接して配置されたパターンにおいて、半透明位相シフト領域の光透過率は4%から30%の範囲とし、幅を1μmから5μmの範囲とすることで、露光強度分布のコントラストを改善するとともに、サイドピークの発生を抑制する構成とした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板上に形成された半透明な半透明位相シフト膜を有し、前記透明基板が露出した透過領域と、前記透明基板上に前記位相シフト膜のみが設けられた半透明位相シフト領域とを有し、前記透過領域と前記半透明位相シフト領域が隣接して配置されたマスクパターンを有し、前記半透明位相シフト領域を透過した露光光は、前記透過領域を透過した露光光に対し位相が反転し、前記透過領域の露光光の透過率を100%としたとき、前記半透明位相シフト領域の露光光での透過率は4%から30%の範囲の値である、大型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
2H095BA12
, 2H095BB03
, 2H095BC05
, 2H095BC11
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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