Si Auger電子Si 2s光電子コインシデンス測定により明らかになったSi(111)-7×7におけるSi 2s内殻正孔の緩和過程

MASE Kazuhiko; MASE Kazuhiko; HIRAGA Kenta; ARAE Sadanori; KANEMURA Rui; TAKANO Yusaku; YANASE Kotaro; OGASHIWA Yosuke; SHOHATA Nariaki; KANAYAMA Noritsugu; KAKIUCHI Takuhiro; OHNO Shinya; SEKIBA Daiichiro; OKUDAIRA Koji K.; OKUSAWA Makoto; TANAKA Masatoshi

文献

J-GLOBAL ID：201402204932551418 整理番号：14A1126620

Si Auger電子Si 2s光電子コインシデンス測定により明らかになったSi(111)-7×7におけるSi 2s内殻正孔の緩和過程

Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7×7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements

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著者 (16件)： , , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 83 号： 9 ページ： 094704.1-094704.5 発行年： 2014年09月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

清浄なSi(111)-7×7におけるSi 2s内殻正孔緩和過程を,180eVでのSi Auger電子とSi 2s光電子のコインシデンス測定を用いて調べた。Si 2s内殻正孔は2つの無放射緩和過程を示すことがわかった。一つ目は,価電帯正孔の非局在化とSi L₂₃VV Auger緩和をともなうSi L₁L₂₃V Coster-Kronig遷移で,二つ目はSi L₁VV Auger緩和である。Si L₁VV Auger緩和に対するSi L₁L₂₃V Coster-Kronig遷移の分岐比を推定し,3.2%±0.4%に対して96.7%±0.4%の値を得た。(翻訳著者抄録)

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Auger電子放出,二次電子放出

引用文献 (29件)：

Auger Electron Spectroscopy, ed. C. L. Briant and R. P. Messer (Academic Press, San Diego, CA, 1988).
D. Coster and R. Kronig, Physica 2, 13 (1935).
H. W. Haak, G. A. Sawatzky, and T. D. Thomas, Phys. Rev. Lett. 41, 1825 (1978).
G. A. Sawatzky, in Auger Electron Spectroscopy, ed. C. L. Briant and R. P. Messer (Academic Press, San Diego, CA, 1988) Chap. 5, p. 167.
Correlation Spectroscopy of Surfaces, Thin Films, and Nanostructures, ed. J. Berakdar and J. Kirschner (Wiley-VCH, Weinheim, 2004).

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