結晶シリコンの表面不動態化に及ぼすオゾンベース原子層堆積AlO<sub>x</sub>の効果の詳細な研究

LEE Hyunju; LEE Hyunju; SAWAMOTO Naomi; IKENO Norihiro; ARAFUNE Koji; ARAFUNE Koji; YOSHIDA Haruhiko; YOSHIDA Haruhiko; SATOH Shin-ichi; SATOH Shin-ichi; CHIKYOW Toyohiro; OGURA Atsushi; OGURA Atsushi

文献

J-GLOBAL ID：201402207808570330 整理番号：14A0575693

結晶シリコンの表面不動態化に及ぼすオゾンベース原子層堆積AlO_xの効果の詳細な研究

Detailed study of the effects of interface properties of ozone-based atomic layer deposited AlO_x on the surface passivation of crystalline silicon

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資料名：
巻： 53 号： 4S ページ： 04ER06.1-04ER06.4 発行年： 2014年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

O₃ベースバッチALD AlO_xによる結晶Siの表面不動態化に及ぼす,負固定電荷密度及び界面トラップ密度のような界面特性の効果を研究した。~10cm/sのS_maxをもつ高品質表面不動態化を,アニーリング後200°Cで堆積したAlO_x試料から得た。この特徴を,界面トラップ密度を~1×10¹¹eV^-1cm^-2に低減する,~-5×10¹²cm^-2の高い負固定電荷密度による優れた電界効果不動態化及び化学的不動態化に帰着した。200°Cで堆積したアニールAlO_x試料も,850°Cにおける焼成中に高い熱的安定性を示した。加えて,薄いSiO_x中間層の形成が,強い電界効果不動態化を誘起する高い負固定電荷密度の形成にとって不可欠であること,及びAlO_x層からの拡散水素によるSi/SiO_x界面における欠陥不動態化が化学的不動態化の起源であること見出した。(翻訳著者抄録)

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半導体の表面構造 , 気相めっき , 酸化物薄膜

引用文献 (38件)：

International Technology Roadmap for Photovoltaic (ITRPV) Results 2012 [http://www.itrpv.net/Home/].
C. A. Wolden, J. Kurtin, J. B. Baxter, I. Repins, S. E. Shaheen, J. T. Torvik, A. A. Rockett, V. M. Fthenakis, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 29, 030801 (2011).
A. Goodrich, P. Hacke, Q. Wang, B. Sopori, R. Margolis, T. L. James, and M. Woodhouse, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 114, 110 (2013).
R. Hezel and K. Jaeger, J. Electrochem. Soc. 136, 518 (1989).
G. Agostinelli, A. Delabie, P. Vitanov, Z. Alexieva, H. F. W. Dekkers, S. De Wolf, and G. Beaucarne, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90, 3438 (2006).

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結晶シリコンの表面不動態化に及ぼすオゾンベース原子層堆積AlOxの効果の詳細な研究

結晶シリコンの表面不動態化に及ぼすオゾンベース原子層堆積AlO_xの効果の詳細な研究