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J-GLOBAL ID：201402222760641620   整理番号：14A0414803

アモルファスシリコンナノワイヤー配列の固相結晶化および光学的性質

Solid-phase crystallization of amorphous silicon nanowire array and optical properties

著者 (7件)： ISHIKAWA Ryousuke (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  KATO Shinya (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  YAMAZAKI Tatsuya (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KUROKAWA Yasuyoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Shinsuke (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 2S  ページ： 02BE09.1-02BE09.4  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板に垂直なアモルファスシリコンナノワイヤ(a-SiNW)配列を,アモルファスシリコン(a-Si)薄膜により得ることに成功した。温度が600~900°Cのフォーミングガス中における熱アニールによって,a-SiNWの固相結晶化を行った。a-SiNWの結晶化に対する薄膜中における水素および薄膜のモルホロジーの効果を,Raman分光法と透過型電子顕微鏡法によって研究した。a-Si薄膜と同じように,a-SiNWにおける水素濃度が増すと,結晶化温度が低下することが分かった。a-SiNWアレイは大きな表面積を有するので,結晶化プロセスが面積によって影響を受けることが分かった。更に,作成したSiNWアレイの光学的性質を研究し,太陽電池の活性層として非常に有望な材料であることが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *ナノワイヤ ,  *配列 ,  *結晶化 ,  基板 ,  ガラス ,  *アニーリング【現象】 ,  熱処理 ,  Ramanスペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  形態 ,  半導体薄膜 ,  *活性層 ,  走査電子顕微鏡 ,  *プラズマCVD ,  エッチング
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  金属支援化学エッチング ,  固相結晶化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (42件)：

• L. Hu and G. Chen, Nano Lett. 7, 3249 (2007).
• M.-Y. Shih, S. F. LeBoeuf, M. Pietrzykowski, O. V. Sulima, J. Rand, A. Davuluru, U. Rapol, L. Tsakalakos, J. Balch, P. J. Codella, B. A. Korevaar, and J. Fronheiser, J. Nanophotonics 1, 013552 (2007).
• E. Garnett and P. Yang, Nano Lett. 10, 1082 (2010).
• S. Kato, Y. Kurokawa, Y. Watanabe, Y. Yamada, A. Yamada, Y. Ohta, Y. Niwa, and M. Hirota, Nanoscale Res. Lett. 8, 216 (2013).
• R. Kurstjens, I. Vos, F. Dross, J. Poortmans, and R. Mertens,J. Electrochem. Soc. 159, H300 (2012).

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  シリコンナノワイヤー ,  固相 ,  結晶化 ,  光学的性質