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J-GLOBAL ID：201402236638703942   整理番号：14A0509153

O(¹D₂)と,O(³P₂)ラジカルに曝したシリコンの酸化特性とO(¹D₂)ラジカルの応力-緩和酸化モデル

Oxidation characteristics of silicon exposed to O(¹D₂) and O(³P₂) radicals and stress-relaxation oxidation model for O(¹D₂) radicals

著者 (4件)： KABE Yoshiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KABE Yoshiro (Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN) ,  HASUNUMA Ryu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 3  ページ： 031501.1-031501.9  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少量の水素を含むAr/O₂雰囲気の673Kのマイクロ波プラスマ中のO(¹D₂),とO(³P₂)ラジカルによるシリコンの酸化を研究した。水素とのO(¹D₂)ラジカル酸化が,1223Kの湿式熱酸化より非常に高い成長速度を与えた。O(¹D₂)とO(³P₂)ラジカル酸化による放物線状速度定数のための活性化エネルギーはそれぞれ0.18と0.40eVであった。そしてこれは,熱酸化による活性化エネルギー(0.71eV)より非常に低い。時間-依存誘電耐久試験で,熱酸化によって生じた薄膜より高い劣化速度を持っラジカルで形成したSiO₂薄膜にもかかわらずO(¹D₂)ラジカルによって形成したSiO₂薄膜,はより長い寿命を持った。誘電破壊モデルは, これが二次元の局所破壊を抑制する平坦なSiO₂表面とインタフェイスによることを示した。平坦なSiO₂表面とインタフェイスの形成を良く説明するO(¹D₂)ラジカルの応力-緩和酸化モデルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *酸化 ,  酸素 ,  *ラジカル ,  緩和現象 ,  劣化 ,  薄膜 ,  寿命 ,  界面 ,  モデル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (74件)：

• T. Ueno, A. Morioka, S. Chikamura, and Y. Iwasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L327 (2000).
• K. Sekine, Y. Saito, M. Hirayama, and T. Ohmi, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1550 (2001).
• M. Goto, K. Azuma, T. Okamoto, and Y. Nakata, Jpn. J. Appl. Phys: 42, 7033 (2003).
• M. Kobayashi, G. Thareja, M. Ishibashi, Y. Sun, P. Griffin, J. McVittie, P. Pianetta, K. Saraswat, and Y. Nishi, J. Appl. Phys. 106, 104117 (2009).
• R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 98, 112902 (2011).

タイトルに関連する用語 (6件)： ラジカル ,  シリコン ,  酸化 ,  応力 ,  緩和 ,  モデル