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J-GLOBAL ID：201402242805395040   整理番号：14A0682408

フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成

Formation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth

著者 (3件)： PARK Jong-Hyeok (九大 大学院) ,  宮尾正信 (九大 大学院) ,  佐道泰造 (九大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 2(OME2014 1-15)  ページ： 17-20  発行年： 2014年04月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フレキシブルエレクトロニクスの創成を目指し,絶縁基板上における擬似単結晶Geの低温形成を検討した。非晶質Ge/Au/絶縁基板の積層構造を用いた層交換成長法に,Ge/Au相互拡散制御,基板との界面エネルギー変調の手法を重畳した新しい結晶成長法を検討した。その結果,(100)または(111)方位を有する大粒径Ge結晶(≧20μm)の選択成長を低温(~250°C)で実現した。さらに,本手法をフレキシブルなプラスチック基板上に展開し,(111)方位を有する大粒径Ge結晶をプラスチック基板直上に実現した。本手法は,フレキシブルエレクトロニクスの基盤技術とした期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *フレキシブル基板 ,  電子技術 ,  *単結晶 ,  *ゲルマニウム ,  *低温生成 ,  非晶質半導体 ,  金 ,  絶縁膜 ,  *積層構造 ,  *相互拡散 ,  *結晶方位 ,  結晶粒径 ,  *選択成長 ,  表面エネルギー
準シソーラス用語： フレキシブルエレクトロニクス ,  擬似単結晶 ,  金誘起層交換成長

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• M. Miyasaka, K. Makihira, T. Asano, E. Polychroniadis, and J. Stoemenos, Appl. Phys. Lett. 80, 944 (2002).
• H. Kanno, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 89, 182120 (2006).
• T. Sadoh, M. Kurosawa, T. Hagihara, K. Toko, and M. Miyao, Electrochem. Solid-State Lett. 14, H274 (2011).
• M. Kurosawa, Y. Tsumura, T. Sadoh, and M. Miyao, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 03B002 (2009).
• M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 95, 132103 (2009).

タイトルに関連する用語 (9件)： フレキシブルエレクトロニクス ,  創成 ,  金 ,  誘起 ,  成長 ,  擬似 ,  単結晶 ,  Ge ,  プラスチック