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J-GLOBAL ID：201402272033573083   整理番号：14A0994025

宇宙で活躍する半導体デバイス

Semicondoctor devices for space science missions

著者 (4件)： 廣瀬和之 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科研) ,  小林大輔 (宇宙航空研究開発機構 宇宙科研) ,  廣瀬和之 (東大 大学院工学系研究科) ,  小林大輔 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 83  号： 8  ページ： 655-659  発行年： 2014年08月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 科学衛星搭載用の半導体デバイスは,民生用デバイスと同様に,微細化と新構造・新材料の導入が進む。強い電離作用を有する宇宙放射線にさらされる宇宙環境で,このナノスケールの世界に起こる物理現象とデバイス・回路の応答を実験およびシミュレーションで解き明かし,宇宙科学の発展に貢献する宇宙用半導体デバイスの開発を目指している。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  科学衛星 ,  精密化 ,  *宇宙環境 ,  宇宙線 ,  耐放射線性 ,  SRAM ,  集積回路 ,  論理回路 ,  *ソフトエラー
準シソーラス用語： 微細化 ,  論理集積回路 ,  データ反転

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (21件)：

• 廣瀬和之,斉藤宏文,小林大輔,黒田能克,石井茂,高橋大輔:日本航空宇宙学会誌59,8(2011).
• 大島武:応用物理81,216(2012).
• 廣瀬和之,小林大輔:応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー,No. 157,p.9 (2013).
• K. Hirose, H. Saito, Y. Kuroda, S. Ishii, Y. Fukuoka, and D. Takahashi: IEEE Trans. Nucl. Sci. 49, 2965 (2002).
• K. Hirose, H. Saito, S. Fukuda, Y. Kuroda, S. Ishii, D. Takahashi, and K. Yamamoto: IEEE Trans. Nucl. Sci. 51, 3349 (2004).

タイトルに関連する用語 (2件)： 宇宙 ,  半導体デバイス