文献

J-GLOBAL ID：201402272046958847   整理番号：14A0706541

負の電子親和度をもつp-i-nダイオード型エミッタの電子放出が起こる場所の研究

Investigation of electron emission site of p-i-n diode-type emitters with negative electron affinity

著者 (21件)： TAKEUCHI Daisuke (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (JST, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Daisuke (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  KOIZUMI Satoshi (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  KOIZUMI Satoshi (JST, Ibaraki, JPN) ,  KOIZUMI Satoshi (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (JST, Ibaraki, JPN) ,  MAKINO Toshiharu (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (JST, Ibaraki, JPN) ,  KATO Hiromitsu (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (JST, Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI Hideyo (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  OHASHI Hiromichi (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OHASHI Hiromichi (JST, Ibaraki, JPN) ,  OHASHI Hiromichi (JST-CREST, Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (JST, Ibaraki, JPN) ,  YAMASAKI Satoshi (JST-CREST, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 5S1  ページ： 05FP07.1-05FP07.5  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負の電子親和度(NEA)を持つp-i-nダイオード型電子エミッタの電子を放出する場所を調べた。n⁺層が上部にある構造を使って,放出電流はn⁺およびi層だけがエッチされている櫛型メサの周辺の長さに比例することが分かった。更に,フィンガー間のギャップが余りに小さい時には放出電流は抑制される。これ等のことは,i層がデバイスの中で主な放出の場所であると考えるのが妥当であることを示す。著者らの今の結果はp-i-nダイオード型のNEA電子エミッタの将来の設計の方向性を与える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *PIN接合 ,  *接合ダイオード ,  *電極 ,  櫛形 ,  メサ構造 ,  エッチング ,  ダイヤモンド ,  半導体 ,  化学蒸着 ,  二次イオン質量分析 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *電子放出素子 ,  負の電子親和度

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (30件)：

• T. Ono, T. Sakai, N. Sakuma, K. Nakayama, and H. Ohashi, Proc. ISPSD’98, 1998, p. 151.
• M. Nakamoto and K. Fukuda, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 3611 (2003).
• D. Takeuchi, S. Koizumi, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, H. Okushi, H. Ohashi, and S. Yamasaki, IEDM Tech. Dig., 2012, p. 167.
• D. Takeuchi, S. Koizumi, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, H. Ohashi, H. Okushi, and S. Yamasaki, Phys. Status Solidi A 210, 1961 (2013).
• S. Kono and S. Koizumi, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 660 (2009).

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子親和度 ,  ダイオード ,  エミッタ ,  電子放出 ,  研究