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J-GLOBAL ID：201402278624954548   整理番号：14A0590641

AlGaN/GaNヘテロ構造上に堆積したNi/Alをアニールすることによる3000 cm²V^-1s^-1を超える室温二次元電子気体移動度

Over 3000cm²V^-1s^-1 room temperature two-dimensional electron gas mobility by annealing Ni/Al deposited on AlGaN/GaN heterostructures

著者 (3件)： TOKUDA Hirokuni (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KOJIMA Toshikazu (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KUZUHARA Masaaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 4  ページ： 041001.1-041001.3  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空アニールによってNi/Alと堆積したAlGaN/GaNヘテロ構造でシート電子密度(n_s)と電子移動度(μ)を研究した。室温のn_sとμが1020Kのアニールによって増加し,増加量が,Ni/Alスタック厚さに依存することを観察した。AlGaN/GaNヘテロ構造で,これまでに報告される最も高い値である3050cm²V^-1s^-1の室温 Hall電子移動度を成し遂げた。n_s増加の起源は,AlGaN層でさらに誘導された張力歪みに帰された。これはRaman分光学によって確かめた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 真空 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  焼なまし ,  *電子移動速度 ,  二次元 ,  Hall移動度 ,  Ramanスペクトル ,  *電子密度

分類 (1件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E)

引用文献 (22件)：

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• M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000).

タイトルに関連する用語 (10件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  堆積 ,  Ni ,  Al ,  アニール ,  室温 ,  電子気体 ,  移動度