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J-GLOBAL ID：201402294741382445   整理番号：14A0425927

P3HTファイバベース電界効果トランジスタ:ナノ構造及びアニーリング温度の効果

P3HT-fiber-based field-effect transistor: Effects of nanostructure and annealing temperature

著者 (7件)： TIWARI Shashi (Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  BALASUBRAMANIAN Sirkazhi K. (Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND) ,  MIYAJIMA Shougo (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  NAGAMATSU Shuichi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  PANDEY Shyam Sudhir (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  PRAKASH Rajiv (Banaras Hindu Univ., Varanasi, IND)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 2  ページ： 021601.1-021601.7  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン)ナノファイバを,周囲条件下で作製し,電界効果トランジスタ(FET)に応用した。スピンコート及びナノファイバベース層をもつトップコンタクトFETを作製し,その輸送性能を比較した。ナノファイバFETが,スピンコートのものより高い性能を示した。ナノファイバFETの素子性能に及ぼすアニーリングの効果も,室温から120°Cまで研究した。キャリア移動度及びオン/オフ比のような,ナノファイバFETの中心性能特性を,80°Cまでの低温アニーリングにより改善した。しかし,それらは,120°Cの高温アニーリングにより劣化した。原子間力顕微鏡により観察した表面形態の変調は,素子性能における変化と一致した。移動度,ヒステリシス,及びオフ電流の相関分析の結果は,FET性能における変化が,温度制御アニーリングによる,ナノファイバの隙間の消失及び吸着分子の除去によることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *ナノファイバ ,  *スピンコーティング ,  *焼なまし ,  *温度 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  劣化 ,  移動度 ,  ヒステリシス ,  *アニーリング温度
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  P3HT【重合体】 ,  *アニーリング ,  オンオフ比

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (41件)：

• Y. Sun, Y. Liu, and D. Zhu, J. Mater. Chem. 15, 53 (2005).
• S.-W. Jeong, D.-H. Han, and B.-E. Park, J. Ceram. Soc. Jpn. 118, 1094 (2010).
• E. Lim, B.-J. Jung, H.-K. Shim, T. Taguchi, B. Noda, T. Kambayashi, T. Mori, K. Ishikawa, H. Takezoe, and L.-M. Do, Org. Electron. 7, 121 (2006).
• F.-Y. Yang, M.-Y. Hsu, G.-W. Hwang, and K.-J. Chang, Org. Electron. 11, 81 (2010).
• S. Ando, D. Kumaki, J. Nishida, H. Tada, Y. Inoue, S. Tokito, and Y. Yamashita, J. Mater. Chem. 17, 553 (2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： P3HT ,  ファイバ ,  電界効果トランジスタ ,  ナノ構造 ,  アニーリング温度