特許
J-GLOBAL ID：201403004877780334

半導体発光素子

発明者：
楠瀬 健

楠瀬 健 について

, 
東 直樹

東 直樹 について

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小川 利昭

小川 利昭 について

, 
笠井 久嗣

笠井 久嗣 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  豊栖 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-173449
公開番号（公開出願番号）：特開2014-044971
出願日： 2012年08月03日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】取り出し効率を高めつつ、素子の信頼性にも優れた半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】活性領域8を含む半導体構造11と、半導体構造11の上面に形成される透光性導電層13と、透光性導電層13の上面に形成される誘電体膜4と、誘電体膜4の上面に形成される金属反射層22と、を備える半導体発光素子であって、誘電体膜4は、透光性導電層13を部分的に表出させるように、1以上の開口部21を設けており、透光性導電層13は、開口部21を介して金属反射層22と電気的に接合されており、開口部21を被覆するように、部分的にバリア層24が形成され、該バリア層24を透光性導電層13と金属反射層22との間に介在させている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
活性領域(8)を含む半導体構造(11)と、 前記半導体構造(11)の上面に形成される透光性導電層(13)と、 前記透光性導電層(13)の上面に形成される誘電体膜(4)と、 前記誘電体膜(4)の上面に形成される金属反射層(22)と、 を備える半導体発光素子であって、 前記誘電体膜(4)は、前記透光性導電層(13)を部分的に表出させるように、1以上の開口部(21)を設けており、 前記透光性導電層(13)は、前記開口部(21)を介して前記金属反射層(22)と電気的に接合されており、 前記開口部(21)を被覆するように、部分的にバリア層(24)が形成され、該バリア層(24)が前記透光性導電層(13)と金属反射層(22)との間に介在されてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/10 ,  H01L 33/42 ,  H01L 33/40 ,  H01L 33/48
FI (5件)：
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 130 ,  H01L33/00 222 ,  H01L33/00 220 ,  H01L33/00 400
Fターム (29件)：
5F141AA03 ,  5F141AA43 ,  5F141CA02 ,  5F141CA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA77 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141FF01 ,  5F141FF11 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142BA34 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB03 ,  5F142CB07 ,  5F142CD02 ,  5F142CD44 ,  5F142CD47 ,  5F142DB02 ,  5F142GA01 ,  5F142GA11 ,  5F142GA21
引用特許：
審査官引用 (8件)
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