特許
J-GLOBAL ID：201403006448658469
薄い薄膜を形成するための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-547546
公開番号（公開出願番号）：特表2014-506008
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：
ドナー本体から薄膜を製造するための方法は、ドナー本体にイオン線量を注入することと、注入中にドナー本体を注入温度まで加熱することと、を含む。ドナー本体はサセプタアセンブリと分離可能に接触し、ドナー本体およびサセプタアセンブリは直接接触する。薄膜はドナー本体に熱プロファイルを適用することによってドナー本体から剥離される。注入および剥離の条件は、薄膜の欠陥がない区域を最大化するために調整されてもよい。
請求項（抜粋）：
ドナー本体から薄膜を製造する方法であって、
a.ドナー本体の第1の表面にイオン線量を注入して、劈開面を形成するステップと、
b.注入中に前記ドナー本体を注入温度まで加熱するステップと、
c.前記ドナー本体の前記第1の表面をサセプタアセンブリの第1の表面に分離可能に接触させるステップであって、前記ドナー本体の前記第1の表面および前記サセプタアセンブリの前記第1の表面が直接接触している、ステップと、
d.前記ドナー本体に剥離温度を適用して、前記劈開面で前記薄膜を前記ドナー本体から剥離するステップであって、前記ドナー本体の前記第1の表面が前記薄膜の第1の表面を含む、ステップと、
e.前記ドナー本体から前記薄膜を分離するステップと、
f.線量、注入温度、剥離温度、および剥離圧の組み合わせを調整して、前記薄膜内で物理的欠陥がほぼない区域を最大化するステップと、を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 31/06
, H01L 21/265
H01L21/02 C
, H01L31/04 A
, H01L21/265 Q
, H01L21/02 B
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB11
