特許
J-GLOBAL ID：201403015149026927
基板から窒化物を選択的に除去する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-543252
公開番号（公開出願番号）：特表2013-545319
出願日： 2011年12月06日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
基板からシリコン窒化物を選択的に除去する方法は、表面上にシリコン窒化物を有する基板を供する工程、及び、150°Cよりも高い温度で、前記基板表面上にリン酸と硫酸を、混合酸性液体流として供給する工程を有する。当該方法では、前記混合酸性液体流の溶液がノズルを通過する際又はその後、前記混合酸性液体流の溶液には水が追加される。
請求項（抜粋）：
基板からシリコン窒化物を選択的に除去する方法であって:
a)表面上にシリコン窒化物を有する基板を供する工程、及び、
b)150°Cよりも高い温度で、前記基板表面上にリン酸と硫酸を、混合酸性液体流として供給することによって、前記基板から選択的に除去する工程;
を有し、
前記混合酸性液体流の溶液がノズルを通過する際又はその後、前記混合酸性液体流の溶液には水が追加される、
方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/306 E
, H01L21/306 R
5F043AA35
, 5F043BB23
, 5F043DD07
, 5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043GG10
