特許
J-GLOBAL ID：201403015346232474

垂直方向に向きが揃ったカーボンナノチューブをダイアモンド基板上に成長させる方法

発明者：
ラオ、ラフル

ラオ、ラフル について

, 
ハルチュンヤン、アヴェティック アール.

ハルチュンヤン、アヴェティック アール. について


出願人/特許権者：
本田技研工業株式会社

本田技研工業株式会社 について


代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-053854
公開番号（公開出願番号）：特開2014-181179
出願日： 2014年03月17日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】ダイアモンド基板上に、垂直方向に向きが揃ったカーボンナノチューブ(CNT)を成長させる方法を提供する。【解決手段】ダイアモンド基板上に炭素基材料からなる被覆を形成する処理を行い、カーボンナノチューブを製造可能な触媒を炭素被覆されたダイアモンド素地基板に接触させ、触媒を気相炭素源に触れさせ、カーボンナノチューブを製造するプロセスで、より具体的には670°Cから1300°Cの高温でフェロセンのような触媒金属前駆物質を用い、化学気相蒸着するカーボンナノチューブの製造方法。前記炭素基材料は、グラフェンおよびグラファイトからなるグループから選択する材料を少なくとも含み、前記触媒は、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ルテニウムおよびロジウムからなるグループから選ばれる少なくとも一つの金属を含むカーボンナノチューブの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイアモンド素地基板を用意し、 前記ダイアモンド素地基板上に炭素基材料からなる被覆を形成させる処理を前記ダイアモンド素地基板に行い、 カーボンナノチューブを生成させることができる触媒を前記ダイアモンド基板に接触させ、 前記触媒に気相炭素源を触れさせ、 、 カーボンナノチューブを製造する、カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (2件)：
C01B 31/02 ,  C01B 31/06
FI (2件)：
C01B31/02 101F ,  C01B31/06 Z
Fターム (27件)：
4G146AA02 ,  4G146AA04 ,  4G146AA11 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD05 ,  4G146BA11 ,  4G146BA20 ,  4G146BA49 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC47 ,  4G146DA03 ,  4G146DA11 ,  4G146DA22 ,  4G146DA26 ,  4G146DA34
引用特許：
審査官引用 (7件)
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