特許
J-GLOBAL ID：201403020605192790

半導体素子及び半導体結晶成長法

発明者：
キム ム ソン

キム ム ソン について

, 
ジョ ヨン ドゥク

ジョ ヨン ドゥク について

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ソン チャン ヒュン

ソン チャン ヒュン について

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キム ブン スプ

キム ブン スプ について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  南山 知広 ,  河合 章 ,  中村 健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-551899
公開番号（公開出願番号）：特表2014-506727
出願日： 2012年01月20日
公開日（公表日）： 2014年03月17日
要約：
半導体素子は、ベース基板と、前記ベース基板上のパターンと、前記ベース基板上のバッファ層と、前記バッファ層上のエピタキシャル層を含み、前記パターンは自己組織化されたパターンである。半導体結晶成長法は、炭化ケイ素基板を洗浄する段階と、前記炭化ケイ素基板に自己組織化によってパターンを形成する段階と、前記炭化ケイ素基板にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層にエピ層を形成する段階と、を含む。半導体素子は、パターン溝を含むベース基板と、前記ベース基板に形成されるエピタキシャル層とを含む。半導体結晶成長法は、炭化ケイ素基板を洗浄する段階と、前記炭化ケイ素基板に自己組織化によって突起を形成する段階と、前記炭化ケイ素基板にパターン溝を形成する段階と、前記パターン溝にエピタキシャル層を形成する段階と、を含む。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
ベース基板と、 前記ベース基板上に形成されるパターンと、 前記ベース基板に形成されるバッファ層と、 前記バッファ層に形成されるエピタキシャル層とを含み、 前記パターンは自己組織化されたパターンである半導体素子。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/04 ,  H01L 33/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/02
FI (6件)：
H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/04 ,  H01L33/00 140 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02
Fターム (45件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB07 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TB01 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB06 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB06 ,  5F141AA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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