特許
J-GLOBAL ID：201403025072855734
半導体結晶、その製造方法、及び多層膜構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-024605
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154765
出願日： 2013年02月12日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】ガラスやプラスチック等の絶縁膜上においても高品質なIV族半導体結晶を形成することが可能となる半導体結晶、その製造方法、及び多層膜構造体を提供する。【解決手段】支持基板1と、前記支持基板の一表面側に形成された非晶質半導体膜2と、前記非晶質半導体膜の支持基板と接していない側の面を被膜する拡散促進膜3と、前記拡散促進膜上の全面あるいは一部分に成膜された共晶金属としての錫4とを備えたことを特徴とする積層構造10を作成し、前記積層構造に熱処理を施すことで、錫4から非晶質半導体膜2の結晶成長を誘起し、1〜20%の錫濃度を有する半導体結晶20を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁膜としての支持基板の上方にIV族元素から選択される1以上の元素からなる非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜の上方に拡散促進膜を形成する工程と、
前記拡散促進膜の上方に、錫から成る錫層を形成する工程と、
熱処理により、前記非晶質半導体膜を構成する元素、及び錫から成る半導体結晶を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (28件)：
5F152AA02
, 5F152AA06
, 5F152AA14
, 5F152BB01
, 5F152BB09
, 5F152CC02
, 5F152CC04
, 5F152CC06
, 5F152CC08
, 5F152CD13
, 5F152CD14
, 5F152CE02
, 5F152CE05
, 5F152CE06
, 5F152CE12
, 5F152CE16
, 5F152CE24
, 5F152CF12
, 5F152CF13
, 5F152CF14
, 5F152CF16
, 5F152CF18
, 5F152CF22
, 5F152CF23
, 5F152EE13
, 5F152EE16
, 5F152FF22
, 5F152FF29
