特許
J-GLOBAL ID：201403027735021380

III族窒化物半導体基板およびその洗浄方法

発明者：
藤戸 健史

藤戸 健史 について

, 
太田 弘貴

太田 弘貴 について

, 
久保 秀一

久保 秀一 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-161647
公開番号（公開出願番号）：特開2014-039028
出願日： 2013年08月02日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：
【課題】ダングリングボンド密度が14.0nm-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】ダングリングボンド密度が14.0nm-2より大きい面を、デバイスを形成すべき主面、とし、且つ、該主面の表面粗さ(RMS)が0.1nm以下であることを特徴とする。III族窒化物半導体基板である。前記III族窒化物がGaNである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が14.0nm-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する工程を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L21/306 B ,  H01L21/304 647Z
Fターム (23件)：
5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10 ,  5F157AA23 ,  5F157AA43 ,  5F157AA70 ,  5F157AA73 ,  5F157AA82 ,  5F157AC01 ,  5F157BA02 ,  5F157BB02 ,  5F157BB73 ,  5F157BC03 ,  5F157BC07 ,  5F157BC12 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157DA21 ,  5F157DB03 ,  5F157DB18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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