特許
J-GLOBAL ID：201403028925998220

評価装置、半導体素子の評価方法

発明者：
岡田 章

岡田 章 について

, 
野口 貴也

野口 貴也 について

, 
秋山 肇

秋山 肇 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-238789
公開番号（公開出願番号）：特開2014-089105
出願日： 2012年10月30日
公開日（公表日）： 2014年05月15日
要約：
【課題】本発明は、半導体素子の電気特性の評価中に生じる放電を確実に検知し、放電発生後直ちに評価を中止することができる評価装置とそれを用いた半導体素子の評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】複数のプローブ32を介して半導体素子12に電流を流して該半導体素子の電気特性を評価する評価部20aと、該評価部が該半導体素子の電気特性を評価しているときに、該半導体素子の温度を検出し続ける複数の温度検出部38と、該複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは該評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部20bと、該放電発生情報が出された該半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部20cを備え、該複数の温度検出部はそれぞれ該半導体素子の異なる部分の温度を検出し、該評価部は該放電発生情報を受けると該半導体素子の評価を中止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を固定するステージと、 絶縁板と、 前記絶縁板に固定された複数のプローブと、 前記複数のプローブを介して前記半導体素子に電流を流して前記半導体素子の電気特性を評価する評価部と、 前記評価部が前記半導体素子の電気特性を評価しているときに、前記半導体素子の温度を検出し続ける複数の温度検出部と、 前記複数の温度検出部のいずれか1つが検出した温度が予め定められた温度を超えたときは前記評価部に放電発生情報を伝送する放電監視部と、 前記放電発生情報が出された前記半導体素子を特定する情報を記憶する記憶部を備え、 前記複数の温度検出部はそれぞれ前記半導体素子の異なる部分の温度を検出し、 前記評価部は、前記放電発生情報を受けると前記半導体素子の評価を中止することを特徴とする評価装置。
IPC (3件)：
G01R 31/26 ,  G01R 31/12 ,  G01R 31/00
FI (3件)：
G01R31/26 A ,  G01R31/12 A ,  G01R31/00
Fターム (12件)：
2G003AA01 ,  2G003AB16 ,  2G003AF06 ,  2G003AH07 ,  2G015AA24 ,  2G015BA02 ,  2G015BA10 ,  2G015CA01 ,  2G036AA18 ,  2G036AA20 ,  2G036BB10 ,  2G036CA06
引用特許：
審査官引用 (12件)
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