特許
J-GLOBAL ID：201403029819395857
窒化物系化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-263755
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110310
出願日： 2012年11月30日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：
【課題】耐圧として要求される低リーク電流の確保とオン抵抗増加の抑制とを簡易に実現できること。【解決手段】本発明の一態様にかかる窒化物系化合物半導体装置は、窒化物系化合物半導体基板の表面に形成され、n型窒化物系化合物半導体からなるドリフト層と、前記ドリフト層の表面に形成されたp型領域およびn型領域と、前記n型領域とショットキー接触し且つ前記p型領域の少なくとも一部と接触する電極と、を備える。前記n型領域は、前記ドリフト層上に形成されたp型半導体層のp型不純物と前記p型半導体層へ部分的に導入したn型不純物との補償によって、前記p型半導体層を部分的にn型化してなる。前記p型領域は、前記p型半導体層のうちの前記n型領域以外の部分からなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成され、n型窒化物系化合物半導体からなるドリフト層と、
前記ドリフト層上に部分的に位置し、p型窒化物系化合物半導体からなるp型領域と、
前記p型領域に隣接するように前記ドリフト層上に位置し、p型不純物とn型不純物とが混在するn型窒化物系化合物半導体からなるn型領域と、
前記n型領域とショットキー接触し且つ前記p型領域の少なくとも一部と接触する電極と、
を備えたことを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
, H01L29/48 E
4M104AA04
, 4M104AA08
, 4M104BB14
, 4M104DD26
, 4M104DD68
, 4M104FF02
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104FF32
, 4M104FF34
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH18
, 4M104HH20
