特許
J-GLOBAL ID：201203039786886192

ワイドバンドギャップ半導体装置

発明者：
木下 明将

木下 明将 について

, 
岩室 憲幸

岩室 憲幸 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-240612
公開番号（公開出願番号）：特開2012-094683
出願日： 2010年10月27日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：
【課題】ワイドバンドギャップ半導体デバイスにおいて、金属/ワイドバンドギャップ半導体界面を有する装置の逆方向電圧印加時のリーク電流の増加や、オン抵抗の増加を抑制する。【解決手段】第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、半導体堆積膜上に形成され、半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜8と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第2導電型の領域4,5とを含み、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜における該ショットキー界面領域は、第2導電型の領域に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板と、該第1導電型の高濃度ワイドバンドギャップ半導体基板上に形成された第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜上に形成され、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜との間でショットキー界面領域を構成する金属膜と、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜の金属膜周辺部に対応する領域に形成された第2導電型の領域とを含み、該第1導電型の低濃度のワイドバンドギャップ半導体堆積膜における該ショットキー界面領域は、第2導電型の領域に囲まれて複数個の周期的な島領域を構成していることを特徴とするワイドバンドギャップ半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06
FI (7件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/48 D
Fターム (10件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB25 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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