特許
J-GLOBAL ID：200903026314862869
半導体装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-120086
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305609
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いた縦型ショットキバリアダイオード(SBD)の高耐圧化を実現できるようにする。【解決手段】半導体装置は、窒化ガリウムからなり、第1の面及び該第1の面と対向する第2の面を有するドリフト層14と、ドリフト層14の第1の面上に形成されたショットキ電極16と、ドリフト層14の第2の面とコンタクト層13を介して電気的に接続されたオーミック電極15とを有している。ドリフト層14は、少なくとも上部にその一部が選択的に高抵抗化された高抵抗領域14aを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体からなり、第1の面及び該第1の面と対向する第2の面を有する第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記第1の面上に形成されたショットキ電極と、
前記第1の半導体層の前記第2の面と電気的に接続されたオーミック電極とを備え、
前記第1の半導体層は、少なくとも上部にその一部が選択的に高抵抗化された高抵抗領域を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104BB28
, 4M104CC03
, 4M104DD08
, 4M104DD17
, 4M104DD26
, 4M104DD34
, 4M104DD68
, 4M104DD78
, 4M104EE01
, 4M104EE14
, 4M104EE16
, 4M104FF06
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104HH20
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
