一時的に接着された半導体ウエハの剥離

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-539126
公開番号（公開出願番号）：特表2014-534640
出願日： 2012年10月29日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：

記載された方法および装置は、デバイスウエハとキャリアウエハとの間の接着剤に対し制御された摂動を提供する。この制御された摂動は、機械的、化学的、熱的、放射的またはそれらの組み合わせとすることができ、デバイスウエハに損傷を与えることなく、2つのウエハの分離を容易にするものである。制御された摂動は、接着層内の界面(例えば、剥離層と接着剤との間)で、またはウエハ/接着剤の界面で、2つのウエハを接合している接着剤に亀裂を発生させる。そして、亀裂を発生させるのに使用された上記方法のいずれかまたはその組み合わせを用いて、亀裂を拡大させることができる。

請求項（抜粋）：

一時的にキャリアウエハに接着されたウエハデバイスを前記キャリアウエハから剥離するためのシステムであって、接着層によって前記デバイスウエハに一時的に接着されている前記キャリアウエハを含むウエハスタックを保持するように構成されたウエハ支持構造体と、制御された摂動を前記接着層の縁部近傍に導入することにより、前記接着層に亀裂を発生させる亀裂イニシエータであって、制御された亀裂の拡大によって、前記デバイスウエハを損傷することなく前記キャリアウエハから前記デバイスウエハが剥離されるようにされ、前記デバイスウエハが100μm未満の厚さおよび少なくとも50mmの直径を有している、亀裂イニシエータと、前記剥離の間、前記キャリアウエハの周辺部の少なくとも一部を拘束するように構成された背部保持装置と、を具えたことを特徴とするシステム。

IPC (4件)：

H01L 21/304 , B24B 41/06 , H01L 21/683 , H01L 21/02

FI (4件)：

H01L21/304 622J , B24B41/06 L , H01L21/68 N , H01L21/02 C

Fターム (46件)：

3C034AA19 , 3C034BB73 , 3C034BB75 , 3C034DD09 , 3C034DD10 , 5F057AA05 , 5F057AA12 , 5F057BA11 , 5F057BB03 , 5F057BB06 , 5F057BC01 , 5F057CA14 , 5F057DA03 , 5F057DA11 , 5F057EC10 , 5F057FA12 , 5F057FA22 , 5F057FA30 , 5F131AA02 , 5F131AA22 , 5F131BA32 , 5F131BA33 , 5F131BA60 , 5F131CA09 , 5F131CA23 , 5F131DA13 , 5F131DA14 , 5F131DA67 , 5F131EA07 , 5F131EA23 , 5F131EA24 , 5F131EB01 , 5F131EB03 , 5F131EB32 , 5F131EB36 , 5F131EB52 , 5F131EB63 , 5F131EB81 , 5F131EB82 , 5F131EC32 , 5F131EC43 , 5F131EC44 , 5F131EC53 , 5F131EC54 , 5F131EC72 , 5F131EC73

引用特許：

審査官引用 (6件)

試料の分離装置及び分離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-256134 出願人：キヤノン株式会社
基板層切断装置及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-559738 出願人：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレターテクノロジーズ
半導体ウェハの剥離方法および剥離装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-206700 出願人：太陽誘電株式会社, 株式会社ルネサステクノロジ

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