半導体受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147534
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011347
特許番号：特許第5636604号
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半絶縁性基板上に設けられ、半導体層が積層されたメサ状の受光部と、前記受光部の側面の一部に対して設けられ、窒化シリコン膜からなる第1絶縁膜、酸化窒化シリコン膜からなる第2絶縁膜および窒化シリコン膜からなる第3絶縁膜が互いに接して積層された絶縁膜の積層構造と、前記受光部に隣接して設けられた樹脂膜と、を備え、前記樹脂膜は、前記第1絶縁膜、前記第2絶縁膜および前記第3絶縁膜のうちの何れか2つの間にその上下が挟まれてなり、前記第2絶縁膜は前記樹脂膜上に設けられ、前記第2絶縁膜の内部応力は前記樹脂膜の内部応力と逆方向であることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：