特許
J-GLOBAL ID:201403047993465889
窒化物系発光ヘテロ構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山田 行一
, 野田 雅一
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-091174
公開番号(公開出願番号):特開2012-165002
特許番号:特許第5526181号
出願日: 2012年04月12日
公開日(公表日): 2012年08月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 光発生構造を形成する工程を含む窒化物系発光ヘテロ構造の形成方法であって、前記光発生構造を形成する工程は、
バリア層のセットを形成する工程と、
各々が前記バリア層と隣接する量子井戸のセットを形成する工程と、
を含み、
前記バリア層は、当該バリア層を通って当該バリア層に隣接する前記量子井戸に入る電子のエネルギーを失わせるエネルギー空間を形成する傾斜組成を含んでおり、
前記量子井戸のセットを形成する工程は、量子井戸の各々の厚みを非輻射再結合中心の半径に基づいて選択する工程であって、前記選択された厚みは前記非輻射再結合中心の半径より小さい、該工程を含む、
窒化物系発光ヘテロ構造の形成方法。
IPC (2件):
H01L 33/06 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
FI (2件):
H01L 33/00 112
, H01L 33/00 186
引用特許:
出願人引用 (7件)
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勾配組成活性領域を有する発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-215461
出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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窒化物系半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-021333
出願人:株式会社東芝
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-024660
出願人:日本電信電話株式会社
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