特許
J-GLOBAL ID：201403048345736466

マルチステップ・非対称形状レーザビームスクライビング

発明者：
リー ウェイシェン

リー ウェイシェン について

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イートン ブラッド

イートン ブラッド について

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ヤラマンチリ マドハバ ラオ

ヤラマンチリ マドハバ ラオ について

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シン サラブジート

シン サラブジート について

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クマー アジャイ

クマー アジャイ について

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ホルデン ジェームズ エム

ホルデン ジェームズ エム について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-515845
公開番号（公開出願番号）：特表2014-523113
出願日： 2012年05月25日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
レーザスクライビング及びプラズマエッチングの両方によって基板をダイシングする方法。方法は、材料層をレーザアブレーションする工程であって、第1照度で先に行い、第1よりも低い第2照度で後に行うアブレーションする工程を含む。異なるフルエンスレベルを有するように調節されたビームの複数パス又は様々なフルエンスレベルを有する複数レーザビームを使用して、これによってマスク及びIC層を第1フルエンスレベルでアブレーション加工して基板を露出させ、その後第2フルエンスレベルでトレンチの底部から再堆積された材料を洗い落とすことができる。ビームスプリッタを用いたレーザスクライブ装置は、単一のレーザとは異なるフルエンスの第1及び第2ビームを提供することができる。
請求項（抜粋）：
複数のICを含む基板をダイシングする方法であって、 ICを被覆し保護するパターニングされていないマスクを有する基板を受け取る工程と、 マスク内に、及びマスクの下に配置された薄膜ICスタック内に、所定のパターンのトレンチをレーザによってアブレーション加工し、これによって基板の一部を露出させる工程であって、アブレーション加工は第1照度を有する電磁照射で先に行い、第1照度よりも低い第2照度を有する電磁照射で後に行う工程と、 パターニングされたマスクトレンチによって露出した基板を貫通してプラズマエッチングし、これによってICを個片化する工程を含む方法。
IPC (6件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/364 ,  B23K 26/066 ,  B23K 26/067 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/302
FI (7件)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 S ,  B23K26/364 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/302 201B
Fターム (50件)：
4E168AD02 ,  4E168AD18 ,  4E168CB04 ,  4E168CB07 ,  4E168DA03 ,  4E168DA32 ,  4E168DA38 ,  4E168DA40 ,  4E168DA47 ,  4E168EA05 ,  4E168EA06 ,  4E168EA09 ,  4E168EA15 ,  4E168EA19 ,  4E168JA12 ,  4E168JA13 ,  4E168JA28 ,  5F004AA16 ,  5F004BB03 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DB01 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA38 ,  5F004EB04 ,  5F004EB08 ,  5F063AA07 ,  5F063AA15 ,  5F063BA21 ,  5F063BA33 ,  5F063BA42 ,  5F063BA45 ,  5F063CB06 ,  5F063CB16 ,  5F063CB27 ,  5F063CC21 ,  5F063CC22 ,  5F063CC23 ,  5F063DD26 ,  5F063DD42 ,  5F063DF04 ,  5F063DF06 ,  5F063DF19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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