薄膜の転写方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)： ▲吉▼川俊雄 , 市川寛奈
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-512797
公開番号（公開出願番号）：特表2014-525134
出願日： 2012年05月23日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：

本発明は、転写構造、及び第1基板表面上に備えられた薄膜を供給する工程であって、前記転写構造が支持層及び膜接触層を含み、前記転写構造が前記薄膜と接触する前記工程;前記第1基板を除去して、膜接触層と接触する薄膜を有する転写構造を得る工程;得られた転写構造と第2基板表面を接触させる工程;ならびに前記膜接触層を除去する工程を含み、それにより第2基板表面へと薄膜を転写する、第1基板から第2基板へと薄膜を転写する方法を開示する。【選択図】図1(A)

請求項（抜粋）：

第1基板から第2基板へと薄膜を転写する方法であって、下記工程: (a)転写構造、及び第1基板表面上に備えられた薄膜を供給する工程であって、前記転写構造が支持層及び膜接触層を含み、前記転写構造が前記薄膜と接触する前記工程; (b)前記第1基板を除去して、膜接触層と接触する薄膜を有する転写構造を得る工程; (c)前記工程(b)で得られた転写構造と第2基板表面を接触させる工程;ならびに (d)前記膜接触層を除去する工程、を含む前記方法。

IPC (8件)：

H01L 21/02 , B81C 99/00 , H01L 21/027 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/40 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (11件)：

H01L21/02 B , B81C99/00 , H01L21/30 502D , H01L21/02 C , H01L29/78 627D , H01L29/78 618B , H01L29/78 617M , H01L29/28 390 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E

Fターム (31件)：

3C081AA17 , 3C081CA02 , 3C081CA14 , 3C081CA26 , 3C081CA31 , 3C081CA32 , 3C081DA26 , 3C081DA27 , 3C081DA29 , 3C081DA30 , 3C081DA46 , 5F110AA30 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110QQ16 , 5F146AA31

引用特許：

出願人引用 (6件)

グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-148308 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
大面積グラフェンの製造方法及び転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-251597 出願人：三星電子株式会社, 成均館大學校産學協力團
薄膜素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-119165 出願人：三星電機株式会社

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審査官引用 (6件)

グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-148308 出願人：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
大面積グラフェンの製造方法及び転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-251597 出願人：三星電子株式会社, 成均館大學校産學協力團
薄膜素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-119165 出願人：三星電機株式会社

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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