特許
J-GLOBAL ID：201403050337109660

半導体装置

発明者：
宮入 秀和

宮入 秀和 について

, 
長多 剛

長多 剛 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-046152
公開番号（公開出願番号）：特開2014-158029
出願日： 2014年03月10日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：
【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
インバータ回路を有し、 前記インバータ回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタのソースまたはドレインは、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続され、 前記第1のトランジスタは、第1の導電層と、第1の酸化物半導体層と、を有し、 前記第1の酸化物半導体層は、第1のチャネル形成領域を有し、 前記第1の導電層は、第1の絶縁層を介して、前記第1のチャネル形成領域と重なる領域を有し、 前記第2のトランジスタは、第2の導電層と、第2の酸化物半導体層と、第3の導電層と、を有し、 前記第2の酸化物半導体層は、第2のチャネル形成領域を有し、 前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層を介して、前記第2のチャネル形成領域と重なる領域を有し、 前記第3の導電層は、第2の絶縁層を介いて、前記第2のチャネル形成領域と重なる領域を有し、 前記第2の導電層と前記第3の導電層とは、前記第1の絶縁層と前記第2のチャネル形成領域と前記第2の絶縁層とを介して、重なる領域を有し、 前記第2の酸化物半導体層は、第1の領域と、第2の領域とを有し、 前記第2の領域は、前記第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と重なり、 前記第1の領域は、前記第2の領域よりも膜厚が薄いことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136
FI (9件)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 617N ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368
Fターム (77件)：
2H092GA43 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092KA08 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  2H192AA24 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192FB03 ,  2H192FB15 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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