特許
J-GLOBAL ID：200903013586501828

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
川俣 郁子

川俣 郁子 について

, 
荒井 康行

荒井 康行 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-036771
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235876
出願日： 2008年02月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】一方は高速動作が可能で駆動電圧の低い薄膜トランジスタ、他方は電圧に対して高耐圧で信頼性の高い薄膜トランジスタの両方を有する半導体装置を提供することを目的とする。従って、低消費電力かつ高信頼性を付与された半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁表面を有する同一基板上に半導体層の膜厚の異なる複数種の薄膜トランジスタを有する。高速動作を求められる薄膜トランジスタの半導体層のチャネル形成領域を、電圧に対して高い耐圧性を求められる薄膜トランジスタの半導体層のチャネル形成領域より薄膜化し、チャネル形成領域の膜厚を薄くする。また、ゲート絶縁層においても、高速動作を求められる薄膜トランジスタは、電圧に対して高い耐圧性を求められる薄膜トランジスタより膜厚が薄くてもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、 前記メモリセルアレイは、第1のゲート電極層、第1のソース領域、第1のドレイン領域、及び第1のチャネル形成領域を含む第1の半導体層、並びに第1のゲート絶縁層を含む第1の薄膜トランジスタを有し、 前記駆動回路部は、第2のゲート電極層、第2のソース領域、第2のドレイン領域及び、前記第1のチャネル形成領域より膜厚の薄い第2のチャネル形成領域を含む第2の半導体層、並びに第2のゲート絶縁層を含む第2の薄膜トランジスタを有し、 前記第2のチャネル形成領域は、前記第2の半導体層において局所的に薄膜化された領域であることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/08
FI (7件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618D ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/08 331E
Fターム (191件)：
5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP43 ,  5F083EP45 ,  5F083EP54 ,  5F083EP57 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER13 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA07 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD12 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD41 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03 ,  5F101BH04 ,  5F101BH06 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F101BH21 ,  5F110AA09 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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