特許

J-GLOBAL ID：201403054993840538

単結晶薄膜の製造方法

発明者： 野田 優
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-223441
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023742
特許番号：特許第5330349号
出願日： 2010年10月01日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(a)単結晶基板を準備し、 (b)該単結晶基板上に該単結晶基板と同一の物質で結晶欠陥を含んだ犠牲層をエピタキシャル成長させ、 (c)該犠牲層上に該犠牲層と同一の物質で前記犠牲層より結晶欠陥の少ない単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ、 (d)前記犠牲層をエッチングし、結晶欠陥の少ない単結晶薄膜を製造することを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C23C 16/01 ( 200 6.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/203 Z ,  C30B 29/06 504 F ,  C30B 29/06 504 G ,  C23C 16/01 ,  C23C 14/14 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 基体から素子形成層を分離する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-037655   出願人：ソニー株式会社
• 太陽電池の製造方法及び該方法で得られる太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016520   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045441   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-127421