特許
J-GLOBAL ID：201403055829457282

半導体装置およびその作製方法

発明者：
徳永 肇

徳永 肇 について

, 
半田 拓哉

半田 拓哉 について

, 
岡崎 健一

岡崎 健一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-034495
公開番号（公開出願番号）：特開2014-195058
出願日： 2014年02月25日
公開日（公表日）： 2014年10月09日
要約：
【課題】高い電界効果移動度を有するトランジスタなどを提供する。または、電気特性の安定したトランジスタなどを提供する。【解決手段】一部が重なって設けられた、第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、第2の酸化物半導体層は、第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜との間に位置し、ゲート絶縁膜は、第2の酸化物半導体層とゲート電極との間に位置し、第1の酸化物半導体層は、第2の酸化物半導体層よりも、酸素欠損量が少ない半導体装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一部が重なって設けられた、 第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、 前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に位置し、 前記ゲート絶縁膜は、前記第2の酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に位置し、 前記第1の酸化物半導体層は、前記第2の酸化物半導体層よりも、酸素欠損量が少ないことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (90件)：
5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL27 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN44 ,  5F110NN62 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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