特許
J-GLOBAL ID：201403057421538880
シリコンウェーハを酸性ウェット化学エッチングする配合
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527275
公開番号（公開出願番号）：特表2014-524673
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
多結晶シリコン基板をエッチングする酸エッチ組成物であって、フッ化水素酸、酸化剤、酸希釈剤、及び可溶性シリコンを含んでもよい組成物が、開示される。可溶性シリコンは、ヘキサフルオロケイ酸、又はケイフッ化アンモニウムを含んでもよい。有機レジストでパターン形成したシリコン基板を、酸エッチ組成物とともに使用して、太陽電池用途向けの選択的シリコンパターン形成を行い得る。
請求項（抜粋）：
シリコンにパターン形成する方法であって:
a.有機レジストでパターン形成したシリコン基板を、少なくとも一つの表面上で、調製後そのまま(as-prepared)のエッチング組成物に露出させるステップであって、前記エッチング組成物が、フッ化水素酸、シリコンを酸化可能な少なくとも一つの酸化剤、及び可溶性シリコンを含む、ステップと、
b.前記エッチング組成物が、前記シリコン基板の露出したシリコン表面を、有機レジストを除去することなくエッチングするステップと、を含む
方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043BB03
, 5F043FF10
