特許
J-GLOBAL ID：201403059622742608
電子装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198261
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053529
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】優れた特性を有する電子装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る電子装置は、半導体基板10と、半導体基板上に設けられた駆動回路21と、半導体基板上に設けられ且つ複数の層間絶縁膜で形成された第1の絶縁部31と、第1の絶縁部上に設けられた第2の絶縁部32とを含み、駆動回路を覆う絶縁領域30と、絶縁領域上に設けられ、駆動回路によって駆動され、高周波信号が印加される高周波用の素子40と、第1の絶縁部内に設けられた第1の導電部51と、第2の絶縁部内に設けられた第2の導電部52とを含み、駆動回路からの駆動信号を高周波用の素子に伝達する配線50と、第2の導電部と高周波用の素子との間に設けられ、高周波用の素子から駆動回路への高周波成分の漏洩を抑制する抵抗素子70とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた駆動回路と、
前記半導体基板上に設けられ且つ複数の層間絶縁膜で形成された第1の絶縁部と、前記第1の絶縁部上に設けられた第2の絶縁部とを含み、前記駆動回路を覆う絶縁領域と、
前記絶縁領域上に設けられ、前記駆動回路によって駆動され、高周波信号が印加される高周波用の素子と、
前記第1の絶縁部内に設けられた第1の導電部と、前記第2の絶縁部内に設けられた第2の導電部とを含み、前記駆動回路からの駆動信号を前記高周波用の素子に伝達する配線と、
前記第2の導電部と前記高周波用の素子との間に設けられ、前記高周波用の素子から前記駆動回路への高周波成分の漏洩を抑制する抵抗素子と、
を備え、
前記抵抗素子は、前記第2の絶縁部上又は上方に設けられ、
前記抵抗素子は、シリコンで形成され、
前記高周波用の素子はMEMS素子である
ことを特徴とする電子装置。
IPC (8件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, B81B 7/02
, H01L 23/12
, H01L 23/14
, H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
H01L27/04 H
, H01L27/04 A
, H01L27/04 P
, B81B7/02
, H01L23/12 501P
, H01L23/14 S
, H01L25/08 Z
3C081BA22
, 3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081BA44
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081EA24
, 5F038AC06
, 5F038AC15
, 5F038AC20
, 5F038AR09
, 5F038BH10
, 5F038BH19
, 5F038CA05
, 5F038CA09
, 5F038CA16
, 5F038EZ20
