特許
J-GLOBAL ID：201403063896982696

窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法

発明者：
塩田 倫也

塩田 倫也 について

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洪 洪

洪 洪 について

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黄 鐘日

黄 鐘日 について

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佐藤 泰輔

佐藤 泰輔 について

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杉山 直治

杉山 直治 について

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布上 真也

布上 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-092772
公開番号（公開出願番号）：特開2012-244162
特許番号：特許第5337272号
出願日： 2012年04月16日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板の上に形成されたAlNバッファ層の上に形成された機能層であって、 交互に積層された、 窒化物半導体を含みSi濃度が5×1018cm-3未満の複数の機能部低濃度層と、 Si濃度が5×1018cm-3以上の複数の機能部高濃度層と、 を含む機能層を備え、 前記複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、前記機能部低濃度層のそれぞれの厚さよりも薄く、 前記複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、0.1ナノメートル以上50ナノメートル以下であり、 前記複数の機能部低濃度層のそれぞれの厚さは、50ナノメートル以上500ナノメートル以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/12 ( 201 0.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 186 ,  H01L 33/00 140 ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 29/80 H
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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