特許
J-GLOBAL ID：201403063922994118
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046008
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175426
出願日： 2013年03月07日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】高効率の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子110は、窒化物半導体を含むn形の第1半導体層10と、窒化物半導体を含むp形の第2半導体層20と、第1半導体層10と第2半導体層20との間に設けられ、交互に積層された複数の井戸層と複数の障壁層とを含む発光部30と、を含む。複数の井戸層は、第2半導体層20に最も近い第1p側井戸層と、第2半導体層20に2番目に近い第p側2井戸層と、を含む。第1p側井戸層における励起子の局在エネルギーは、第2p側井戸層における励起子の局在エネルギーよりも小さい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を含むn形の第1半導体層と、
窒化物半導体を含むp形の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、交互に積層された複数の井戸層と複数の障壁層とを含む発光部と、
を備え、
前記複数の井戸層は、前記第2半導体層に最も近い第1p側井戸層と、前記第2半導体層に2番目に近い第2p側井戸層と、を含み、
前記第1p側井戸層における励起子の局在エネルギーは、前記第2p側井戸層における励起子の局在エネルギーよりも小さい半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/32
, H01L 33/06
, H01S 5/343
H01L33/00 186
, H01L33/00 112
, H01S5/343 610
5F141AA03
, 5F141CA05
, 5F141CA12
, 5F141CA40
, 5F141CA64
, 5F141CA66
, 5F141CA88
, 5F141CA92
, 5F173AF03
, 5F173AH22
, 5F173AK08
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AQ11
, 5F173AR23
