半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-085699
公開番号（公開出願番号）：特開2014-207413
出願日： 2013年04月16日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
要約：

【課題】ヒューズ抵抗を有するトリミング回路を備えた低コストで小型の半導体装置を提供する。【解決手段】トリミング回路100をMOSFET11、保護回路17およびフューズ抵抗3で構成することで、オープン状態からショート状態に変化させる場合にフューズ抵抗3の溶断で行なうことができる。また、トリミング回路100を構成するを保護回路17およびヒューズ抵抗3を二層構造で形成することで、トリミング回路100を小型化でき、占有面積の小さなトリミング回路100を有する低コストで小型の半導体装置300とすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

定電流回路と、該定電流回路に一端が接続するヒューズ抵抗と、前記定電流回路と前記ヒューズ抵抗の一端とを接続する接続点に接続するトリミングパッドと、前記接続点に一端が接続する保護抵抗と、該保護抵抗の他端にカソードが接続する保護ダイオードと、前記保護抵抗の他端にゲートが接続するMOSトランジスタと、前記ヒューズ抵抗の他端および前記保護ダイオードのアノードが接続するグランドと、を有するトリミング回路を備えた半導体装置において、前記ヒューズ抵抗、保護抵抗および保護ダイオードが、半導体基板上に第1の絶縁膜を介して配置されるポリシリコン層により形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/82

FI (3件)：

H01L27/04 V , H01L21/82 F , H01L27/04 H

Fターム (31件)：

5F038AR09 , 5F038AR13 , 5F038AR25 , 5F038AV15 , 5F038BB05 , 5F038BB07 , 5F038BH02 , 5F038BH05 , 5F038BH15 , 5F038BH19 , 5F038CA02 , 5F038CA08 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F064AA13 , 5F064CC09 , 5F064CC13 , 5F064CC21 , 5F064CC22 , 5F064DD14 , 5F064EE27 , 5F064EE32 , 5F064FF08 , 5F064FF24 , 5F064FF27 , 5F064FF30 , 5F064FF34 , 5F064FF45 , 5F064GG01

引用特許：

出願人引用 (6件)

抵抗トリミング回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-134672 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社
ヒューズトリミング回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-114367 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-055967 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (6件)

抵抗トリミング回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-134672 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社
ヒューズトリミング回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-114367 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-055967 出願人：株式会社東芝

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