特許
J-GLOBAL ID：201403067456939255
窒化ガリウム系半導体発光素子、窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法、窒化ガリウム系発光ダイオード、エピタキシャルウエハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-190031
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231192
特許番号：特許第5423853号
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化ガリウム系半導体発光素子であって、
窒化ガリウム系半導体からなる半導体領域と、
前記半導体領域の主面の直上に設けられたInGaN層と、
InGaNからなる井戸層を含み、前記InGaN層の主面上に設けられた活性層と、
六方晶系の窒化ガリウムからなり、該窒化ガリウムの[0001]軸方向の基準軸に直交する平面に対して10度以上80度以下で傾斜した主面を有する支持基体と、
を備え、
前記InGaN層は前記活性層と前記半導体領域との間に設けられ、
前記半導体領域の前記主面は、該主面における[0001]軸方向に延びる基準軸に直交する平面に対して傾斜して半極性を示し、
前記半導体領域は一又は複数の窒化ガリウム系半導体層からなり、
各窒化ガリウム系半導体層は、GaN、AlGaN、InGaNまたはInAlGaNからなり、
前記半導体領域の前記主面の材料は、前記InGaN層と異なっており、
前記半導体領域の厚さは前記InGaN層の厚さより大きく、
前記InGaN層のインジウム組成は0.02以上0.10以下であり、
前記InGaN層のインジウム組成は前記井戸層のインジウム組成より小さく、
前記半導体領域は前記支持基体の前記主面上に搭載されており、
前記InGaN層は、前記基準軸に直交する第1の方向における第1のInGaN格子定数と前記基準軸に直交する第2の方向における第2のInGaN格子定数とを有しており、
前記第1の方向は前記第2の方向に直交しており、
前記支持基体は、前記基準軸に直交する第1の方向における第1のGaN格子定数と前記基準軸に直交する第2の方向における第2のGaN格子定数とを有しており、
前記第1のInGaN格子定数は前記第1のGaN格子定数と等しく、
前記第2のInGaN格子定数は前記第2のGaN格子定数と異なる、ことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
H01L 33/00 186
, H01S 5/343 610
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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