特許
J-GLOBAL ID：201403069517875320

炭化珪素半導体装置

発明者：
林 秀樹

林 秀樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-142830
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007326
出願日： 2012年06月26日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】高速動作が可能であり、かつ低いオン抵抗と高い耐圧とを有する炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】コレクタ層19は、第1の導電型を有する炭化珪素から作られている。スイッチング素子80はコレクタ層19上に設けられている。スイッチング素子80は、第1の導電型と異なる第2の導電型を有するチャネルCHを制御するための接合ゲート32を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する炭化珪素から作られたコレクタ層と、 前記コレクタ層上に設けられたスイッチング素子とを備え、前記スイッチング素子は、前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有するチャネルを制御するための接合ゲートを含む、炭化珪素半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095 ,  H01L 27/098
FI (3件)：
H01L29/80 V ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 C
Fターム (14件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GA12 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR03 ,  5F102GS03 ,  5F102HC15 ,  5F102HC16
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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