特許
J-GLOBAL ID:201403072799010344
微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
勝沼 宏仁
, 中村 行孝
, 横田 修孝
, 伊藤 武泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-219657
公開番号(公開出願番号):特開2014-071424
出願日: 2012年10月01日
公開日(公表日): 2014年04月21日
要約:
【課題】ドライエッチング耐性が高いパターンを形成することができる微細パターン形成用組成物と、それを用いた製造過程における配管詰まりが少ないパターン形成方法の提供。【解決手段】化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる、ヒドロキシアリール基を有する繰り返し単位を含むポリマーと、前記ネガ型レジストパターンを溶解させない有機溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物とそれを用いたパターン形成方法。パターン形成方法において、レジスト組成物の塗布とその微細パターン形成用組成物とを同一の塗布装置で塗布することにより、配管詰まりを防止することができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、ヒドロキシアリール基を有する繰り返し単位を含むポリマーと、前記ネガ型レジストパターンを溶解させない有機溶剤とを含んでなることを特徴とする微細パターン形成用組成物。
IPC (4件):
G03F 7/40
, H01L 21/027
, C08F 12/22
, C08F 20/10
FI (4件):
G03F7/40 511
, H01L21/30 502R
, C08F12/22
, C08F20/10
Fターム (18件):
2H096AA25
, 2H096BA06
, 2H096EA05
, 2H096GA03
, 2H096HA05
, 4J100AB07P
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03P
, 4J100BC09Q
, 4J100BC43P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100FA08
, 4J100FA19
, 4J100FA28
, 4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (9件)
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-202948
出願人:信越化学工業株式会社
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-128797
出願人:富士フイルム株式会社
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特開平2-132444
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