レジストパターン微細化組成物及びレジストパターン形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邉一平 , 木川幸治 , 菅野重慶
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-173067
公開番号（公開出願番号）：特開2010-049247
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】半導体プロセスにおけるレジストパターンの形成段階でレジストパターンの線幅微細化に使用されるレジストパターン微細化組成物を提供すること。【解決手段】感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジストパターン上に、レジストパターン微細化組成物を塗布し、ベーク後、洗浄してレジストパターンを微細化する工程、を含むレジストパターン形成方法で用いられる、酸性低分子化合物と、レジストパターンを溶解しない溶媒と、を含有するレジストパターン微細化組成物を提供する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジストパターン上に、レジストパターン微細化組成物を塗布し、ベーク後、洗浄して前記レジストパターンを微細化する工程、を含むレジストパターン形成方法で用いられる、酸性低分子化合物と、前記レジストパターンを溶解しない溶媒と、を含有するレジストパターン微細化組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 570

Fターム (5件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096HA05 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (9件)

レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-098586 出願人：ジェイエスアール株式会社
レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-017019 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-096450 出願人：ソニー株式会社

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