特許
J-GLOBAL ID:201403075681064970

半導体記憶装置及びデータ処理システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高尾 建吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-101704
公開番号(公開出願番号):特開2014-222420
出願日: 2013年05月13日
公開日(公表日): 2014年11月27日
要約:
【課題】再現不可能性を有する乱数を簡易に生成することが可能な半導体記憶装置を得る。【解決手段】データ更新部15Aは、メモリアレイ17から読み出した第1の乱数生成用データX1を更新することにより、第1の乱数生成用データX1に基づいて生成される第1の乱数より後に使用される第2の乱数を生成するための第2の乱数生成用データX2を生成する。制御部13は、第2の乱数生成用データX2をメモリアレイ17に書き込む。【選択図】図2
請求項(抜粋):
乱数の生成に用いる乱数生成用データが記憶されたメモリアレイと、 乱数生成用データを更新するデータ更新部と、 制御部と、 を備え、 前記データ更新部は、前記メモリアレイから読み出した第1の乱数生成用データを更新することにより、当該第1の乱数生成用データに基づいて生成される第1の乱数より後に使用される第2の乱数を生成するための第2の乱数生成用データを生成し、 前記制御部は、前記第2の乱数生成用データを前記メモリアレイに書き込む、半導体記憶装置。
IPC (2件):
G06F 7/58 ,  H04L 9/08
FI (3件):
G06F7/58 A ,  H04L9/00 601C ,  H04L9/00 601E
Fターム (4件):
5J104EA04 ,  5J104EA18 ,  5J104NA03 ,  5J104NA37
引用特許:
審査官引用 (6件)
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