半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047454
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175509
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】レジストパターンが予め形成された基板上に薄膜を形成する際に、レジストパターンの酸化を抑制したり、レジストパターンの変形や倒壊を抑制したりする。【解決手段】処理室内の基板に対して所定元素を含む原料ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対して窒化ガスを供給する工程と、を行うことで、基板上に、所定元素および窒素を含む第1の層を形成する工程と、処理室内の基板に対して所定元素を含む原料ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対して酸化ガスを供給する工程と、を行うことで、第1の層上に、所定元素および酸素を含む第2の層を形成する工程と、を行うことで、基板上に、所定元素、窒素および酸素を含む薄膜を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

処理室内の基板に対して所定元素を含む原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して窒化ガスを供給する工程と、を行うことで、前記基板上に、前記所定元素および窒素を含む第1の層を形成する工程と、前記処理室内の前記基板に対して前記所定元素を含む原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して酸化ガスを供給する工程と、を行うことで、前記第1の層上に、前記所定元素および酸素を含む第2の層を形成する工程と、を行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および酸素を含む薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/455 , C23C 16/42 , H01L 21/316

FI (6件)：

H01L21/318 M , H01L21/31 C , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/318 C , H01L21/316 M

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB13 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030DA05 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC03 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (6件)

基板処理装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-240067 出願人：株式会社日立国際電気
成膜方法、成膜装置、および記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-192914 出願人：東京エレクトロン株式会社
ピッチマルチプリケーションされた材料のループの一部分を分離するための方法およびその関連構造
公報種別：公表公報出願番号：特願2010-539709 出願人：マイクロンテクノロジー,インク.

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