半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-268002
公開番号（公開出願番号）：特開2012-160704
出願日： 2011年12月07日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
要約：

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、前記処理容器内の加熱された前記基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、前記基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に、前記炭窒化層と前記酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/30 , C23C 16/455

FI (6件)：

H01L21/318 C , H01L21/316 X , H01L21/318 B , H01L21/31 B , C23C16/30 , C23C16/455

Fターム (46件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030BA29 , 4K030BA41 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AB34 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AE21 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC10 , 5F058BC12 , 5F058BF04 , 5F058BF22 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF29 , 5F058BF30

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-185811 出願人：株式会社日立国際電気
成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-001689 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-309157 出願人：東京エレクトロン株式会社

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