半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-094655
公開番号（公開出願番号）：特開2014-232870
出願日： 2014年05月01日
公開日（公表日）： 2014年12月11日
要約：

【課題】微細化しても容易に作製することのできる構造を有し、微細化に伴う電気特性の低下を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接して設けられた第1の導電物と、第1の導電物に接して設けられた絶縁物と、を有し、酸化物半導体層、第1の導電物および絶縁物に開口部が設けられ、開口部において、酸化物半導体層、第1の導電物および絶縁物の側面が連なり、酸化物半導体層および第1の導電物は第2の導電物とサイドコンタクトによって電気的に接続されている構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁面上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層に接して設けられた第1の導電物と、前記第1の導電物に接して設けられた絶縁物と、を有し、前記酸化物半導体層、前記第1の導電物および前記絶縁物に開口部が設けられ、前記開口部において、前記酸化物半導体層、前記第1の導電物および前記絶縁物の側面が連なり、前記酸化物半導体層および前記第1の導電物は第2の導電物と電気的に接続され、前記第2の導電物は、前記絶縁面に接することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 29/41 , H01L 21/336 , H01L 21/28

FI (9件)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 618B , H01L29/78 620 , H01L29/44 S , H01L29/78 619A , H01L29/78 618E , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/78 616S

Fターム (102件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF06 , 4M104FF27 , 4M104FF29 , 4M104GG08 , 4M104HH14 , 5F110AA04 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HM02 , 5F110HM11 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN78

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-135594 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-060946 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-105587 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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審査官引用 (8件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-135594 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-060946 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-105587 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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