特許
J-GLOBAL ID：201303030708415949

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-135594
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021317
出願日： 2012年06月15日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：
【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧(Vth)をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン(P)、またはホウ素(B)を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上にゲート電極層と、 前記酸化物半導体層の一部にソース領域、及びドレイン領域と、を有し、 前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる領域の膜厚が前記ソース領域、及び前記ドレイン領域が形成される領域の膜厚よりも薄い ことを特徴とする半導体装置。
IPC (13件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 27/105 ,  G02F 1/136
FI (11件)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 441 ,  G02F1/1368
Fターム (191件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092NA21 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF07 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA02 ,  5F083GA03 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR07 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF08 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16 ,  5F110AA03 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM