ウエーハの加工方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野尚純 , 奥貫佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-001783
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135348
出願日： 2013年01月09日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：

【課題】基板の表面に積層された機能層に設けられたストリートに沿って形成された2条のレーザー加工溝間の機能層を除去するとともに2条のレーザー加工溝に付着した溶融物を除去することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ストリートの両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板に至る2条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断するレーザー加工溝形成工程と、ストリートに沿って形成された2条のレーザー加工溝の中央部にレーザー光線を導く液柱を形成してレーザー光線を照射し、2条のレーザー加工溝間の機能層を除去するとともに2条のレーザー加工溝に付着した溶融物を除去する溶融物除去工程とを含む。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハを、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ストリートの両側に沿ってレーザー光線を照射し、基板に至る2条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断するレーザー加工溝形成工程と、ストリートに沿って形成された2条のレーザー加工溝の中央部にレーザー光線を導く液柱を形成してレーザー光線を照射し、2条のレーザー加工溝間の機能層を除去するとともに2条のレーザー加工溝に付着した溶融物を除去する溶融物除去工程と、を含む、ことを特徴とするウエーハの加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 , B23K 26/364 , B23K 26/36

FI (4件)：

H01L21/78 B , H01L21/78 Q , B23K26/00 D , B23K26/36

Fターム (7件)：

4E068AD00 , 4E068CA03 , 4E068CC02 , 4E068CH08 , 4E068CJ07 , 4E068DA10 , 4E068DB11

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-230239 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体ウエーハの分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-378057 出願人：株式会社ディスコ
切削方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-009517 出願人：株式会社ディスコ

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