特許
J-GLOBAL ID:201403079067025793
検査装置および検査方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
亀井 岳行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-225361
公開番号(公開出願番号):特開2014-077697
出願日: 2012年10月10日
公開日(公表日): 2014年05月01日
要約:
【課題】オンチップおよびオフチップの両方に対応可能な劣化検知回路を提供する。【解決手段】入力信号6に応じた処理を行って出力信号7を出力する回路2に対して、回路2の経時的な劣化を検出する劣化検出装置11であって、回路2の出力信号7が入力されるとともに、回路2の使用開始初期の出力信号に対する現在の出力信号の遅延を検出する遅延検出手段21と、遅延検出手段21で検出された遅延が、予め設定された遅延を超えた場合に、回路2が劣化したと判定する劣化判定手段22と、を備えた回路の劣化検出装置11。【選択図】図1
請求項(抜粋):
入力信号に応じた処理を行って出力信号を出力する回路に対して、前記回路の経時的な劣化を検出する劣化検出装置であって、
前記回路の出力信号が入力されるとともに、前記回路の使用開始初期の出力信号に対する現在の出力信号の遅延を検出する遅延検出手段と、
前記遅延検出手段で検出された遅延が、予め設定された遅延時間を超えた場合に、前記回路が劣化したと判定する劣化判定手段と、
を備えたことを特徴とする検査装置。
IPC (3件):
G01R 31/26
, H03K 19/00
, G01R 31/28
FI (3件):
G01R31/26 G
, H03K19/00 B
, G01R31/28 V
Fターム (23件):
2G003AA07
, 2G003AB09
, 2G003AE06
, 2G003AF03
, 2G003AF06
, 2G003AF07
, 2G003AF09
, 2G003AH01
, 2G003AH02
, 2G003AH10
, 2G132AB07
, 2G132AC03
, 2G132AD04
, 2G132AK09
, 2G132AL11
, 5J056AA00
, 5J056BB39
, 5J056BB57
, 5J056BB58
, 5J056BB60
, 5J056CC14
, 5J056EE07
, 5J056GG08
引用特許:
審査官引用 (8件)
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劣化診断回路及び半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-329699
出願人:株式会社東芝
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半導体装置及びその試験方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-263309
出願人:株式会社東芝
-
不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-001203
出願人:シャープ株式会社
-
半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-142605
出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-306655
出願人:日本電気株式会社
-
ホットキャリア劣化検出回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-282249
出願人:日本電気株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-262337
出願人:松下電器産業株式会社
-
半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-182083
出願人:株式会社日立製作所
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