特許
J-GLOBAL ID：201403079147563680
オプトエレクトロニクス半導体ボディ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-183190
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003326
出願日： 2013年09月04日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：
【課題】向上した効率もしくは向上した電気特性またはその両方を有するオプトエレクトロニクス半導体ボディを提供する。【解決手段】電磁放射を発生させるに適している活性層23を備えている半導体積層体2と、第1および第2の電気接続層4,6とを有するオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、この半導体ボディが、前側から電磁放射を放出するように意図されており、第1および第2の電気接続層が、前側とは反対の後側に配置され、かつ分離層5によって互いに電気的に絶縁され、第1の電気接続層4と、第2の電気接続層6と、分離層5とが、横方向に互いに重なり合い、第2の電気接続層6の部分領域が、後側から貫通開口3を通じて前側の方向に活性層23を貫いている、オプトエレクトロニクス半導体ボディ。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
電磁放射を発生させるに適している活性層を有する半導体積層体と、第1の電気接続層および第2の電気接続層と、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
- 前記半導体ボディが、前側から電磁放射を放出するように設けられ、
- 前記第1の電気接続層および前記第2の電気接続層が、前記前側とは反対の後側に配置され、分離層によって互いに電気的に絶縁され、
- 前記第1の電気接続層と、前記第2の電気接続層と、前記分離層とが、横方向に重なり合い、
- 前記第2の電気接続層の部分領域が、前記後側から貫通開口を通じて前記前側の方向に前記活性層を貫いており、
前記半導体積層体が、前記後側の近傍に電流拡散層を有し、前記電流拡散層が透明導電性酸化物を含んでいる、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F141AA03
, 5F141CA04
, 5F141CA12
, 5F141CA34
, 5F141CA41
, 5F141CA93
, 5F141CB15
, 5F141FF11
