特許
J-GLOBAL ID：200903040609756206
発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-413121
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175199
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】従来の電流ブロック層を備えた発光ダイオードよりも生産性に優れ、且つ低コストで製造することのできる高輝度発光ダイオードを提供すること。【解決手段】基板1上に、少なくとも活性層5をn型とp型の導電性を示すクラッド層4、6で挟んだ発光部、その上に高濃度に導電型決定不純物を含有したオーミックコンタクト層7、その上にITO膜から成る透明導電膜8が形成され、その表面側と裏面側に電極9、10が形成された構造の発光ダイオードにおいて、前記発光部と前記透明導電膜8の間に、レジスト膜から成る電流ブロック層11を設けた構造とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも活性層をn型とp型の導電性を示すクラッド層で挟んだ発光部、その上に高濃度に導電型決定不純物を含有したオーミックコンタクト層、その上にITO膜から成る透明導電膜が形成され、その表面側と裏面側に電極が形成された構造の発光ダイオードにおいて、
前記発光部と前記透明導電膜の間に、レジスト膜から成る電流ブロック層を設けたことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA21
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CB15
出願人引用 (1件)
-
半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-245553
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (10件)
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